Número de Producto del Fabricante:
TSM120N10PQ56 RLG
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM120N10PQ56 RLG-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 58A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Inventario:
12893652
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ENVIAR
TSM120N10PQ56 RLG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
58A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
12mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3902 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
36W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PDFN (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
TSM120N10PQ56 RLGCT-DG
TSM120N10PQ56RLGDKR
TSM120N10PQ56 RLGDKR-DG
TSM120N10PQ56RLGCT
TSM120N10PQ56 RLGTR
TSM120N10PQ56 RLGDKR
TSM120N10PQ56RLGTR
TSM120N10PQ56 RLGCT
TSM120N10PQ56 RLGTR-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TSM160N10LCR RLG
FABRICANTE
Taiwan Semiconductor Corporation
CANTIDAD DISPONIBLE
10887
NÚMERO DE PIEZA
TSM160N10LCR RLG-DG
PRECIO UNITARIO
0.64
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
BSC098N10NS5ATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
16419
NÚMERO DE PIEZA
BSC098N10NS5ATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.62
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
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